افزایش عمر باتری تلفن‌های همراه با تراشه جدید

تولید تراشه جدیدی از سوی سامسونگ آغاز شده که ممکن است روزی جایگزین حافظه فلش شود و انتظار می‌رود عمر باتری تلفن همراه را تا ۲۰ درصد افزایش دهد.

به گزارش سرویس ارتباطات خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا)، سامسونگ که بزرگ‌ترین سازنده تراشه در جهان محسوب می‌شود، اعلام کرد که اکنون در حال ساخت تراشه حافظه PRAM با ظرفیت ۵۱۲ مگابیت است.

تراشه مذکور می‌تواند اطلاعات را در مقایسه با حافظه فلش با مصرف نیروی کمتری خوانده و بنویسد و بیت‌های تک آن می‌توانند بدون نیاز به پاک کردن کل سلول‌های بلوک، به یک یا صفر تغییر یابند.

یک تراشه PRAM با ظرفیت ۵۱۲ مگابیت می‌تواند بخش حافظه کوچک را بیش از ۱۰ برابر سریع‌تر از حافظه فلش NOR پاک کند. همچنین در بخش ۵ مگابایت می‌تواند داده‌ها را هفت برابر سریع‌تر از فلش NOR بازخوانی و بازنویسی کند.

تولید تراشه جدیدی از سوی سامسونگ آغاز شده که ممکن است روزی جایگزین حافظه فلش شود و انتظار می‌رود عمر باتری تلفن همراه را تا ۲۰ درصد افزایش دهد.

به گزارش سرویس ارتباطات خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا)، سامسونگ که بزرگ‌ترین سازنده تراشه در جهان محسوب می‌شود، اعلام کرد که اکنون در حال ساخت تراشه حافظه PRAM با ظرفیت ۵۱۲ مگابیت است.

تراشه مذکور می‌تواند اطلاعات را در مقایسه با حافظه فلش با مصرف نیروی کمتری خوانده و بنویسد و بیت‌های تک آن می‌توانند بدون نیاز به پاک کردن کل سلول‌های بلوک، به یک یا صفر تغییر یابند.

یک تراشه PRAM با ظرفیت ۵۱۲ مگابیت می‌تواند بخش حافظه کوچک را بیش از ۱۰ برابر سریع‌تر از حافظه فلش NOR پاک کند. همچنین در بخش ۵ مگابایت می‌تواند داده‌ها را هفت برابر سریع‌تر از فلش NOR بازخوانی و بازنویسی کند.

این تراشه با فن‌آوری ساخت ۶۰ نانومتر ساخته شده که فن‌آوری ساخت مشابه برای فلش NOR است. طبق اعلام سامسونگ، فن‌آوری ظریف‌تر نود به‌منظور به‌کارگیری تجاری گسترده‌تر در نسل‌های آینده PRAM مورد استفاده قرار خواهد گرفت.